一种可控硅静电放电保护器件
授权
摘要

本实用新型公开了一种可控硅静电放电保护器件,包括保护器本体,保护器本体顶部的两侧均固定连接有引脚,保护器本体的内表面通过亚克力胶粘剂连接有耐热层,保护器本体的外表面通过亚克力胶粘剂连接有防腐层,防腐层包括聚酰亚胺涂料层、聚四氟乙烯涂料层和改性聚苯硫醚涂料层。本实用新型通过保护器本体、引脚、耐热层、氯磺化聚乙烯涂料层、氟碳涂料层、防腐层、聚酰亚胺涂料层、聚四氟乙烯涂料层和改性聚苯硫醚涂料层的配合使用,达到了防腐蚀的优点,解决了现有的静电放电保护器件在使用时不具备防腐蚀的功能,往往静电放电保护器件在使用过程中其外壳会遭受外界腐蚀,以至于静电放电保护器件损坏,因此不便于人们使用的问题。

基本信息
专利标题 :
一种可控硅静电放电保护器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021840662.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-28
授权号 :
CN212587508U
授权日 :
2021-02-23
发明人 :
江叔勤
申请人 :
深圳市东光晶鹏电子有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市罗湖区金塘街48号蔡屋围丽晶大厦南座2103室
代理机构 :
深圳市成为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王艳
优先权 :
CN202021840662.7
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  H01L23/00  B05D1/36  B05D5/00  B05D7/24  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-02-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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