半导体静电保护器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体静电保护器件，包括：衬底，衬底上形成有阱区；阱区内形成有静电保护组件，静电保护组件包括第一掺杂区、第二掺杂区及第四掺杂区，第一掺杂区与第二掺杂区均为第一导电类型的掺杂区，且第一掺杂区与第二掺杂区之间的衬底上形成有栅极层，第四掺杂区为第二导电类型的掺杂区；阱区内还包括第三掺杂区，第三掺杂区位于第二掺杂区与栅极层之间。第三掺杂区的设置，一方面加大了第二掺杂区与栅极层之间的距离从而提高传输线路脉冲曲线的维持电压；另一方面第三掺杂区能够在空穴电流到达一定阈值时吸收空穴电流，进一步达到提高传输线路脉冲曲线的维持电压的效果，使得半导体静电保护器件能够满足芯片功能提升的需求。
基本信息
专利标题 ：
半导体静电保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446944A
申请号 ：
CN202011184992.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙俊
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
缪成珠
优先权 ：
CN202011184992.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
