提高半导体功率器件静电保护性能的结终端保护结构

专利权的终止

摘要

一种提高半导体功率器件静电保护性能的结终端保护结构，本方案在两个相邻的场限环之间加入桥接单元，将所有场限环连接成整体，并且在顶部设置上电极金属层，与有源区的上电极金属层互连，从而在不占用器件有源区面积的情况下，大大增加了器件静电保护二极管的面积，当带静电的物体或人体接触器件管脚时，有更多的途径区释放静电产生的电荷，保护器件不被静电产生的大电流烧毁，因此大幅度提高了器件的静电保护性能。另外，本方案制作过程中桥接单元与场限环为同一制造层，不增加光刻和注入步骤，因此不会增加器件的相应制作成本。

基本信息

专利标题：

提高半导体功率器件静电保护性能的结终端保护结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820034868.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-04-21

授权号：

CN201185190Y

授权日：

2009-01-21

发明人：

朱袁正钱叶华毛振东

申请人：

苏州硅能半导体科技股份有限公司

申请人地址：

215021江苏省苏州市苏州工业园区机场路328号国际科技园C301单元

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

马明渡

优先权：

CN200820034868.3

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L23/60 H01L29/872

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

法律状态

2018-05-15 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20080421
授权公告日 : 20090121

2009-01-21 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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