半导体功率器件
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：元胞区和栅极总线区，所述元胞区包括多个周期性排列的元胞，所述元胞包括：n型外延层，位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于所述两个第一沟槽之间的两个第二沟槽，所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；所述第二沟槽延伸至所述栅极总线区内，所述第二沟槽在所述栅极总线区内的宽度大于其在所述元胞区内的宽度。本发明可以降低栅源漏电导致半导体功率器件失效的风险。
基本信息
专利标题 ：
半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335170A
申请号 ：
CN202011069972.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘伟王鑫袁愿林龚轶
申请人 ：
苏州东微半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202011069972.8
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L29/423
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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