静电保护元件以及半导体装置
公开
摘要
本发明的目的在于提供一种能够在不导致占有面积的增大的情况下防止静电破坏的静电保护元件以及半导体装置。本发明包含：第二导电型的高浓度源极区域，沿着第一导电型的半导体基板的表面形成，连接有电源线以及接地线中的一方；第二导电型的低浓度源极区域，具有从半导体基板的表面露出的露出面且与高浓度源极区域相接；第二导电型的高浓度漏极区域，沿着半导体基板的表面形成，连接有电源线以及接地线中的另一方；第二导电型的低浓度漏极区域，具有从半导体基板的表面露出的露出面，与高浓度漏极区域相接，且延伸至距半导体基板的表面的深度比低浓度源极区域深的区域；栅极绝缘膜；栅极电极，形成于栅极绝缘膜上，连接有电源线以及接地线中的一方。
基本信息
专利标题 ：
静电保护元件以及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335136A
申请号 ：
CN202111092767.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
东真砂彦望月麻理惠
申请人 ：
拉碧斯半导体株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县横滨市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
闫小龙
优先权 ：
CN202111092767.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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