半导体元件
公开
摘要
本申请实施例提供一种半导体元件，其包括：衬底；以及半导体结构，所述半导体结构被布置在所述衬底上，其中，半导体结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；光吸收层，其被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，其布置在至少一个接触孔中，该至少一个接触孔通过穿过第二导电半导体层和光吸收层来暴露第一导电半导体层，并且第一电极连接到第一导电半导体层；以及第二电极，其被连接到第二导电半导体层。光吸收层可以具有围绕至少一个接触孔的平面形状。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566579A
申请号 ：
CN202210201766.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2017-07-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪恩珠
申请人 ：
苏州乐琻半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市太仓市常胜北路168号
代理机构 ：
苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李洋
优先权 ：
CN202210201766.0
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/24
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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