半导体元件

授权

摘要

本发明提供一种半导体元件，其包括：一具有开口的介电层；一铜基第一金属层，填满该介电层的该开口并具有一上表面；以及一第一导电性高分子，覆盖该铜基第一金属层的该上表面。本发明还提供一种半导体元件，其包括：一铜基金属层，埋设于一介电层并具有一上表面；一导电性高分子，覆盖该铜基金属层的该上表面；以及一铝基金属垫，设置于该导电性高分子上。该导电性高分子夹置于两金属层间，可作为粘着层，阻障层或活化晶种层。该导电性高分子可包覆铜连线结构以避免铜扩散至其上层，以及增加铜与其上层的附着力。

基本信息

专利标题：

半导体元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832159A

申请号：

CN200510112677.5

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2005-10-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

石健学蔡明兴苏鸿文眭晓林

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200510112677.5

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522