半导体元件
公开
摘要
提供一种具备平坦性优异且不易变形而能够实现良好的半导体特性的多孔层的半导体元件。半导体元件包含半导体膜和配置在半导体膜的第一面侧或作为第一面侧的相反侧的第二面侧的多孔层，所述多孔层的空隙率为10％以下。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503285A
申请号 ：
CN202080069877.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
今藤修松原佑典
申请人 ：
株式会社FLOSFIA
申请人地址 ：
日本京都
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
刁兴利
优先权 ：
CN202080069877.X
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/47 H01L29/417 H01L29/24 H01L29/06 H01L25/18 H01L25/07 H01L21/28 H01L21/34
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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