半导体元件
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件，其主要包含一逻辑区以及一高压区定义于基底上，第一栅极结构设于高压区，第一外延层以及第二外延层设于第一栅极结构一侧，第一接触插塞设于第一外延层以及该第二外延层之间，第三外延层以及第四外延层设于第一栅极结构另一侧以及第二接触插塞设于第三外延层及第四外延层之间，其中第一外延层底部低于第一接触插塞底部且第三外延层底部低于第二接触插塞底部。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497034A
申请号 ：
CN202011153977.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱诚朴李宗颖吕典阳赵俊凯邱春茂
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011153977.9
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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