半导体元件
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体元件，包括：包括多个有源区的半导体衬底，第一凹槽形成在有源区中并延伸到两侧的浅沟槽隔离中；各位线包括由底部导电材料层和顶部导电材料层形成的叠加结构；在第一凹槽中形成有由底部导电材料层组成的第一接触插塞，第一接触插塞的两侧面由位线的两侧面向下延伸而成；在第一接触插塞的第一侧的第一凹槽中形成有第一子凹槽，在第一子凹槽的底部的有源区中分别形成有第三子凹槽，第三子凹槽的底部表面低于有源区的顶部表面。本实用新型公开了一种半导体元件的制造方法。本实用新型能防止位线接触插塞的导电材料层刻蚀不干净所产生的漏电，提高产品的良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920982076.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-27
授权号 ：
CN209880578U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
詹益旺童宇诚黄永泰林淯慈夏勇
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201920982076.7
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L27/11521 H01L27/11568
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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