半导体元件
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
对一种在半导体衬底中具有各种不同掺杂层(2，3，4，5)的半导体元件进行了电气性能方面的改进，方法是用深腐蚀坑(10)局部减少载流区衬底的厚度，同时基本上保持半导体衬底原有的机械稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106746A
申请号 ：
CN87106746.3
公开（公告）日 ：
1988-04-13
申请日 ：
1987-10-01
授权号 ：
CN1004735B
授权日 ：
1989-07-05
发明人 ：
C·克里斯蒂安·阿巴斯延斯·戈布雷希特霍斯特·格吕宁扬·福博利尔
申请人 ：
BBC勃朗·勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN87106746.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/743
法律状态
1992-02-05 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1990-04-04 ：
授权
1989-07-05 ：
审定
1988-04-13 ：
公开
1988-03-23 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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