半导体元件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种半导体元件，此半导体元件包括衬底、栅极结构、间隙壁、硅化锗(SixGey)层以及硅化锗保护层。其中，栅极结构配置于衬底上，间隙壁配置于栅极结构侧壁。硅化锗层配置于间隙壁两侧的衬底中，且延伸至部分间隙壁下方，其中硅化锗层的顶部高于衬底的表面。另外，硅化锗保护层配置于硅化锗层上，且硅化锗保护层包括Six1Gey1，而0≤y1＜y。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949537A
申请号 ：
CN200510113378.3
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林焕顺施泓林王湘莹江日舜范铭棋
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510113378.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/161 H01L21/336
法律状态
2009-02-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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