半导体元件
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件，其包含︰第一半导体结构；第二半导体结构，位于第一半导体结构上；活性区域，位于第一半导体结构以及第二半导体结构之间，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，且各阻障层具有一能阶，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相对于上表面的底表面；以及多个交替的第三半导体层以及第四半导体层位于第一半导体结构及活性区域之间；其中，第三半导体层的能阶大于第四半导体层的能阶；每一个第四半导体层包含一三族元素，且每一个第四半导体层的三族元素各具有一最高含量，较靠近活性区域的第四半导体层中的最高含量高于较靠近第一半导体结构的第四半导体层中的最高含量。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447167A
申请号 ：
CN202210008925.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2018-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘永中蔡长祐胡庆忠陈明宝沈圻连伟杰
申请人 ：
晶元光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王锐
优先权 ：
CN202210008925.5
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/12 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/02
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20180126
申请日 : 20180126
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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