半导体元件
授权
摘要
本发明的半导体元件包括一半导体基板。该半导体基板包括一第一反型区、一第二反型区及位于第一反型区与第二反型之间的一沟道区，位于沟道区和第一反型区及第二反型区上的一第一绝缘层，位于第一绝缘层上的一俘获层，位于俘获层上的一第二绝缘层。上述半导体元件还包括一控制栅极、一第一扩散区、一第二扩散区以及至少一次栅极，其中次栅极包括一第一次栅极与一第二次栅极，前述第一次栅极位于第一扩散区上方，前述第二次栅极位于第二扩散区上方，第一次栅极、第二次栅极和控制栅极都位于第二绝缘层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101447515A
申请号 ：
CN200810188379.8
公开（公告）日 ：
2009-06-03
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕函庭吴旻达赖二琨施彦豪何家骅谢光宇
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿 宁
优先权 ：
CN200810188379.8
主分类号 ：
H01L29/792
IPC分类号 ：
H01L29/792 H01L29/423 H01L27/115
法律状态
2012-02-01 ：
授权
2009-07-29 ：
实质审查的生效
2009-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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