半导体元件

授权

摘要

半导体元件(10)具有：形成于N^－型基区(11)内的P型基区(13)；以及在P型基区(13)内相互隔开地形成多个的N⁺型发射区(14)。N⁺型发射区(14)形成为：N⁺型发射区(14)在半导体元件(10)的中心部占P型基区(13)的面积比例，小于N⁺型发射区(14)在半导体元件(10)的周边部占P型基区(13)的面积比例。

基本信息

专利标题：

半导体元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1943036A

申请号：

CN200680000077.2

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2006-01-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

鸟居克行

申请人：

三垦电气株式会社

申请人地址：

日本埼玉县

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200680000077.2

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L27/04 H01L29/78 H01L21/28