半导体元件
授权
摘要

本发明公开一种半导体元件,包含:一半导体叠层,具有一表面;及一电极结构包含一电极垫形成于表面上,电极结构另包含一第一延伸电极、一第二延伸电极及一第三延伸电极连接于电极垫,第一延伸电极较第三延伸电极靠近表面的一轮廓,第二延伸电极位于第一延伸电极及第三延伸电极之间;其中,由俯视观之,第一延伸电极、第二延伸电极及第三延伸电极分别包含一第一转角具有一第一角度θ1、一第二转角具有一第二角度θ2及一第三转角具有一第三角度θ3,且θ3>θ2>θ1。

基本信息
专利标题 :
半导体元件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109494286A
申请号 :
CN201811066360.6
公开(公告)日 :
2019-03-19
申请日 :
2018-09-13
授权号 :
CN109494286B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
张永富钟昕展郑鸿达廖文禄李世昌吕志强陈怡名詹耀宁蔡均富
申请人 :
晶元光电股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陈小雯
优先权 :
CN201811066360.6
主分类号 :
H01L33/38
IPC分类号 :
H01L33/38  
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法律状态
2022-04-12 :
授权
2020-10-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20180913
2019-03-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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