半导体元件和半导体装置
公开
摘要
一种半导体元件，其至少包含层叠结构体，所述层叠结构体通过在由氧化物半导体膜构成的半导体层上层叠第一金属层、第二金属层和第三金属层而成，第一金属层、第二金属层和第三金属层分别由互不相同的一种或两种以上的金属构成，第一金属层和第三金属层之间配置有第二金属层，第二金属层包含Pt或/和Pd，第一金属层与所述半导体层欧姆接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件和半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503284A
申请号 ：
CN202080069872.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
今藤修
申请人 ：
株式会社FLOSFIA
申请人地址 ：
日本京都
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
刁兴利
优先权 ：
CN202080069872.7
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/45 H01L29/47
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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