半导体元件、半导体装置
实质审查的生效
摘要
本发明的目的在于提供能够使Cgc/Cge的比值变大的半导体元件和半导体装置。特征在于，具有：发射极电极，其形成于半导体基板之上；栅极电极，其形成于该半导体基板之上；第1导电型的漂移层，其形成于该半导体基板之中；第1导电型的源极层，其形成于该半导体基板的上表面侧；第2导电型的基极层，其形成于该半导体基板的上表面侧；集电极电极，其形成于该半导体基板之下；以及2层哑有源沟槽，其在该半导体基板的沟槽的内部，在上层具有不与该栅极电极连接的上层哑部，在下层具有与该栅极电极连接、被绝缘膜覆盖的下层有源部，该下层有源部的长度方向长度比该下层有源部的宽度大。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件、半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497200A
申请号 ：
CN202111312118.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小西和也西康一古川彰彦
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111312118.4
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/739 H01L27/07
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20211108
申请日 : 20211108
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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