防静电保护器件
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种防静电保护器件，包括多个并联的NMOS管，在P衬底上设置有并排的P阱和N阱，所述NMOS管设置于并排的P阱和N阱上，该NMOS管的源极和栅极位于P阱上方，该NMOS管的漏极包括N阱和两个N型扩散区，所述两N型扩散区上方分别各有一个金属硅化物层；所述两N型扩散区中间有一间隔，其中一个N型扩散区位于P阱和N阱交界处的上方，另一个N型扩散区位于N阱上方，所述位于N阱上方的N型扩散区的金属硅化物与一个包含有导电物质的通孔相连接。本发明通过将设置于N阱上的N型扩散区断开，不仅能使各NMOS管均匀开启，还大大的提高了器件的散热效率和耐压强度。
基本信息
专利标题 ：
防静电保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979858A
申请号 ：
CN200510111039.1
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐向明金锋苏庆
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111039.1
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L23/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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