芯片防静电保护电路

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种芯片防静电保护电路，包括一个N型晶体管，所述N型晶体管的栅极、漏极共接在芯片内部电路的外部信号输入端，源极接地，所述N型晶体管的开启电压高于外部输入信号的电压且小于所连接的芯片内部电路中晶体管的栅和结的击穿电压，结击穿电压小于所连接的芯片内部电路中晶体管的栅和结的击穿电压及内部电路的栅和结的击穿电压。采用该芯片防静电保护电路能大大提高防静电保护的能力。

基本信息

专利标题：

芯片防静电保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720144301.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-11-15

授权号：

CN201118221Y

授权日：

2008-09-17

发明人：

钱文生刘俊文

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

200206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200720144301.7

主分类号：

H02H9/00

IPC分类号：

H02H9/00 H01L23/60

法律状态

2017-01-04 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101695985883
IPC(主分类) : H02H 9/00
专利号 : ZL2007201443017
申请日 : 20071115
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20151115

2014-02-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689531923
IPC(主分类) : H02H 9/00
专利号 : ZL2007201443017
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108

2008-09-17 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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