芯片防静电保护电路

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种芯片防静电保护电路，包括一可控硅和一N型晶体管，可控硅是一个PNPN结构，P型一端接芯片内部电路的外部信号输入端，N型一端接地；N型晶体管的栅极、漏极共接在芯片内部电路的外部信号输入端，源极接地；可控硅构成的电路工作时P型一端电压维持在正向转折电压和持有电压之间，正向转折电压小于芯片内部电路中晶体管的栅和结的击穿电压且持有电压高于外部输入信号的电压；N型晶体管的开启电压高于外部输入信号的工作电压且小于可控硅电路的持有电压，并且此N型晶体管的栅和结的击穿电压高于可控硅电路的正向转折电压。采用该芯片防静电保护电路能大大提高防静电保护的能力。

基本信息

专利标题：

芯片防静电保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720144303.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-11-20

授权号：

CN201117658Y

授权日：

2008-09-17

发明人：

钱文生刘俊文

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

200206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200720144303.6

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L23/60 H02H9/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

法律状态

2017-01-04 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101695979948
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2007201443036
申请日 : 20071120
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20151120

2014-01-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101684690058
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2007201443036
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司

2008-09-17 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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