静电保护结构、静电保护电路、芯片
公开
摘要
本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护电路、静电保护结构、芯片，静电保护电路包括：第一PNP型三极管、第一NPN型三极管、控制电路，第一PNP型三极管的发射极连接第一信号端，基极连接第一节点，集电极连接第二节点，其中，第一信号端连接第一节点；第一NPN型三极管的发射极连接第二信号端，基极连接第二节点，集电极连接第一节点；控制电路连接第一信号端、第二信号端、第一节点，用于根据第一信号端和第二信号端的信号将第一信号端和第二信号端中的低电平信号端连接到第一节点。该静电保护电路具有较高的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
静电保护结构、静电保护电路、芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613767A
申请号 ：
CN202210363811.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-04-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许杞安
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202210363811.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H02H9/02 H02H9/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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