集成电路中的静电保护电路

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。包括多指并联的GGNMOS电路，GGNMOS的漏极接内部电路的前一级，还包括二极管，其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阳极相连接、栅极接地，该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地，栅极接地，衬底相互连接并与二极管的阳极相连接，二极管的阴极接地，当发生ESD时，所述最中间的GGNMOS最先导通，在所述二极管产生偏压，供给其他所有周边所有的GGNMOS衬底偏压，使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。

基本信息

专利标题：

集成电路中的静电保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979844A

申请号：

CN200510111176.5

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

徐向明

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111176.5

主分类号：

H01L23/60

IPC分类号：

H01L23/60 H01L23/62 H01L27/02 H01L27/04 H05F3/04 H02H9/04