MOS集成电路防静电保护器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型属于电子器件，特别是一种MOS电路的防静电保护器。MOS电路包含了CMOS、PMOS、VMOS、NMOS、TMOS等电路形式，较高的输入阻抗使得该器件接入电路前常出现静电击穿。本防静电保护器采用在集成电路的外壳上卡附或贴附导电材料使电路各脚连通。处于同一电位。保护器的结构是金属材料冲压成型或者是内沿具有导电层的注塑结构成型。可杜绝MOS电路在接入电路前出现击穿现象。
基本信息
专利标题 ：
MOS集成电路防静电保护器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89217879.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-10-11
授权号 ：
CN2065795U
授权日 ：
1990-11-14
发明人 ：
孙万杰孙相杰
申请人 ：
孙万杰;孙相杰
申请人地址 ：
471711河南省洛宁县东宋电器仪表厂
代理机构 ：
洛阳市专利事务所
代理人 ：
陆军
优先权 ：
CN89217879.5
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H05K9/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
1994-11-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-07-31 ：
授权
1990-11-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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