MOS集成电路防静电保护器
专利申请的视为撤回
摘要
本发明属于电子器件。一种MOS集成电路保护器，其特征在于通过在MOS集成电路上卡附或贴附具有使MOS集成电路各脚连通功能的保护器的方法，从根本上杜绝MOS集成电路在接入电子线路前或贮藏，运动过程中因静电感应造成MOS集成电路内部击穿，结构简单，具有多次使用性，广泛适用于MOS集成电路生产厂家，科研单位，电子工作人员使用，同时可保证器件使用率达到100％。
基本信息
专利标题 ：
MOS集成电路防静电保护器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1050950A
申请号 ：
CN89107904.1
公开（公告）日 ：
1991-04-24
申请日 ：
1989-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙万杰
申请人 ：
孙万杰
申请人地址 ：
471711河南省洛宁县东宋电器仪表厂
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN89107904.1
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H05F3/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
1993-08-18 ：
专利申请的视为撤回
1991-04-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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