集成电路的静电保护电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种集成电路的静电保护电路，所述集成电路包括保护点，所述静电保护电路包括正向触发电路和反向触发电路；所述正向触发电路包括钳位三极管；所述反向触发电路包括至少一个二极管电路；所述二极管电路包括阴极端和阳极端；所述钳位三极管的集电极与所述保护点电连接，所述钳位三极管的基极与所述阴极端电连接，所述钳位三极管的发射极和所述阳极端接地。本实用新型提供的集成电路的静电保护电路能够兼顾静电保护效果，且电路占用面积小、寄生器件小，同时能够保证集成电路芯片的正常工作。
基本信息
专利标题 ：
集成电路的静电保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020103507.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-17
授权号 ：
CN211350644U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
丁苗富
申请人 ：
上海麓慧科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区漕河泾开发区松江高科技园莘砖公路668号202室-382
代理机构 ：
上海弼兴律师事务所
代理人 ：
薛琦
优先权 ：
CN202020103507.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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