集成电路
授权
摘要
本申请的各实施例涉及集成电路。集成电路的电容元件包括第一电极和第二电极。第一电极由位于掺杂有第一导电类型的半导体阱上方的第一导电层形成。第二电极由位于半导体阱的第一导电层上方的第二导电层形成。第二电极还由半导体阱内的表面区域形成，该表面区域高度掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中表面区域位于第一导电层下方。电极间电介质区域将第一电极和第二电极电分离。
基本信息
专利标题 ：
集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920616986.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN210272346U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
A·马扎基
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201920616986.3
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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