一种多芯片并联的半导体功率模块和布局
授权
摘要
本实用新型公开了一种多芯片并联的半导体功率模块和布局，包括至少一个功率半导体单元，各功率半导体单元包括两个功率半导体芯片，两个功率半导体芯片以半桥方式连接，上管的控制极连接第一栅极电阻的一端，第一栅极电阻的另一端作为第一控制极，下管的控制极连接第二栅极电阻的一端，第二栅极电阻的另一端作为第二控制极，两个功率半导体芯片的半桥连接点作为功率半导体单元输出极。本申请通过在各半导体芯片的栅极设置栅极电阻，增加不同芯片栅极间的阻抗，提高各芯片的抗干扰能力；将半桥结构的上管芯片同列排布、下管芯片同列排布，使电流到达各芯片的路径相近，提升模块的均流能力。
基本信息
专利标题 ：
一种多芯片并联的半导体功率模块和布局
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122803450.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
CN216250728U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
雷光寅范志斌邹强
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
刘美莲
优先权 ：
CN202122803450.2
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/64 H01L23/48 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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