功率半导体芯片以及用于制造功率半导体芯片的方法

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摘要

本发明涉及功率半导体芯片，其具有半导体部件主体(2)并且具有多层金属化部(10)，所述金属化部(10)布置在半导体部件主体(2)上并且具有布置在半导体部件主体(2)上方的镍层(6)。本发明还涉及用于制造功率半导体芯片(1)的方法。本发明还涉及功率半导体器件。本发明提供功率半导体芯片(1)，其具有金属化部(10)，在键合期间不设置有厚金属覆盖层的铜线(11)能够可靠地键合到所述金属化部(10)，而不损坏功率半导体芯片(1)。

基本信息

专利标题：

功率半导体芯片以及用于制造功率半导体芯片的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN106783785A

申请号：

CN201611035382.7

公开（公告）日：

2017-05-31

申请日：

2016-11-18

授权号：

CN106783785B

授权日：

2022-05-24

发明人：

W·M·舒尔茨

申请人：

赛米控电子股份有限公司

申请人地址：

德国纽伦堡

代理机构：

北京市路盛律师事务所

代理人：

刘世杰

优先权：

CN201611035382.7

主分类号：

H01L23/49

IPC分类号：

H01L23/49 H01L21/60