功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法
公开
摘要
本发明涉及功率半导体装置，其具有：其上布置有功率半导体开关的基板；包括导电的第一插入式连接触点的电路板；电容器；包括接收电容器的接收装置的电容器保持元件；测量电容器温度的温度传感器；包括布置有导电的第二插入式连接触点的插入式连接区域的温度传感器保持元件，温度传感器连接到温度传感器保持元件，温度传感器保持元件连接到电容器保持元件；将温度传感器和第二插入式连接触点导电连接到彼此的温度传感器连接线，其至少一部段布置在温度传感器保持元件内部并且材料结合到此，和/或配置为布置在温度传感器保持元件上的传导迹线，第一和第二插入式连接触点形成导电插入式连接。本发明还涉及制造功率半导体装置的方法。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613765A
申请号 ：
CN202111490210.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·丁斯特比尔
申请人 ：
赛米控电子股份有限公司
申请人地址 ：
德国纽伦堡
代理机构 ：
重庆智鹰律师事务所
代理人 ：
唐超尘
优先权 ：
CN202111490210.X
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L21/50 G01K1/14 G01K13/00 H01G4/258 H01G4/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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