半导体装置、功率转换装置以及半导体装置的制造方法
公开
摘要
本公开中的半导体装置具备冷却板(12)、衬底(10)、半导体元件(21)、电极板(51)、弹性构件(41a1)和接合构件(31a2)，所述衬底(10)的反面与冷却板(12)接合，所述半导体元件(21)在正面设置有电极(21a)，反面与衬底(10)的正面接合，所述电极板(51)配置为与半导体元件(21)的正面相对，所述弹性构件(41a1)为导电性且具有弹性力，设置于半导体元件(21)与电极板(51)之间，一端与电极(21a)线接触或面接触，另一端与电极板(51)线接触或面接触，所述接合构件(31a2)为导电性，将电极(21a)和弹性构件(41a1)的一端接合，并将电极板(51)和弹性构件(41a1)的另一端接合。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置、功率转换装置以及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586151A
申请号 ：
CN202080073761.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小川道雄藤野纯司
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
严鹏
优先权 ：
CN202080073761.3
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L21/48 H01L21/56 H01L23/31 H01L23/367 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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