功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法
公开
摘要
本发明的课题在于对功率半导体装置的散热面的紧贴不充分，散热性能降低这一点。本发明的功率半导体装置使热传导层(5)与电路体(100)的散热面(4a)抵接，使散热构件(7)与电路体(100)的散热面(4a)侧的热传导层(5)的外侧抵接。使固定构件(8)与电路体的与散热面相反的一侧抵接。然后，使连接构件(9)在散热构件和固定构件各自的端部贯穿。图3表示紧固连接构件的螺栓和螺母前的状态，散热构件保持以其中央部向电路体侧凸出的方式弯曲的形状。以夹住电路体的方式，在散热构件和固定构件的两端，紧固地固定连接构件的螺栓和螺母。散热构件弹性变形，散热构件隔着热传导层与电路体的散热面紧贴，从散热构件向散热面施加表面压力。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616661A
申请号 ：
CN202080076301.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岛津博美金子裕二朗井出英一高木佑辅谷江尚史
申请人 ：
日立安斯泰莫株式会社
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
肖华
优先权 ：
CN202080076301.6
主分类号 ：
H01L23/40
IPC分类号 ：
H01L23/40 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/40
用于可拆卸冷却或加热装置的安装或固定装置
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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