功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法
公开
摘要
一种用于制造功率半导体封装体的方法包括：提供包括裸片焊盘和框架的引线框架，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架；将半导体裸片附接到裸片焊盘；通过激光切割而切穿至少一个系杆，从而形成切割表面；以及在激光切割之后，在裸片焊盘和半导体裸片之上模制，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420575A
申请号 ：
CN202111191664.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·纳拉亚纳萨米S·阿布德哈米德庄铭浩M·R·戈多伊蓝志民A·R·穆罕默德S·K·穆鲁甘T·施特克
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
周家新
优先权 ：
CN202111191664.7
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/56 H01L23/31 H01L23/495 B23K26/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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