半导体封装体和用于制造半导体封装体的方法
授权
摘要
一种制造半导体封装体的方法包括：提供载体，在所述载体中制造开口，将半导体芯片附连到所述载体，以及制造覆盖所述半导体芯片的包封体。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装体和用于制造半导体封装体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108231608A
申请号 ：
CN201711317084.1
公开（公告）日 ：
2018-06-29
申请日 ：
2017-12-12
授权号 ：
CN108231608B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
陈淑雯张超发钟福兴郑家锋方子康穆罕默德萨努斯穆罕默德黄美晶黄胤生卜佩銮王春晖
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
周家新
优先权 ：
CN201711317084.1
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2018-07-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20171212
申请日 : 20171212
2018-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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