半导体封装件及半导体封装件的制造方法
授权
摘要
本发明提供改善了外部连接端子的侧面的焊料润湿性的半导体封装件及其制造方法。本发明的半导体封装件的特征在于包括：管芯焊盘；多个外部连接端子，配置于所述管芯焊盘的周边；半导体芯片，配置于所述管芯焊盘的上部面，并与所述多个外部连接端子电连接；以及密封部件，用于掩埋所述管芯焊盘、所述多个外部连接端子及所述半导体芯片，并使所述多个外部连接端子各个的外侧端部露出，所述多个外部连接端子的各个在所述外侧端部的侧面包括第一区域，在所述第一区域中施有镀层。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装件及半导体封装件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107170716A
申请号 ：
CN201710115495.6
公开（公告）日 ：
2017-09-15
申请日 ：
2017-02-28
授权号 ：
CN107170716B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
铃原将文
申请人 ：
株式会社吉帝伟士
申请人地址 ：
日本大分县
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭放
优先权 ：
CN201710115495.6
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/495 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-09-25 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 23/31
变更事项 : 申请人
变更前 : 株式会社吉帝伟士
变更后 : 安靠科技日本公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本大分县
变更后 : 日本大分县
变更事项 : 申请人
变更前 : 株式会社吉帝伟士
变更后 : 安靠科技日本公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本大分县
变更后 : 日本大分县
2019-03-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20170228
申请日 : 20170228
2017-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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