半导体封装的制造方法
公开
摘要
本揭露一实施例提供一种半导体封装的制造方法，包括以下步骤。提供多个半导体元件，每一个半导体元件具有至少一个导电凸块。提供基板，基板具有多个导电接垫。提供转移装置。转移装置转移多个半导体元件至基板上。提供加热装置。以及，加热装置加热或加压至少二个半导体元件。于转移多个半导体元件至基板的步骤中，每一个半导体元件的至少一个导电凸块对接至对应的多个导电接垫。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597138A
申请号 ：
CN202011395786.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王程麒廖文祥陈永一周鸿昇郑承恩
申请人 ：
群创光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区苗栗县竹南镇科学路160号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202011395786.3
主分类号 ：
H01L21/603
IPC分类号 ：
H01L21/603 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
H01L21/603
包括运用压力的，例如热压黏结
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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