半导体封装及制造方法
授权
摘要
公开了一种半导体封装及其制造方法，其中通过利用包括较少量铅的外部连接端子或半导体元件安装端子，解决了环境问题，而同时实现了所述端子的细间距。所述半导体封装包括：板(20)，包括多个绝缘树脂层；半导体元件安装端子(18)，在所述板的顶部表面上形成；以及外部连接端子(12)，在所述板的底部表面上形成。各外部连接端子(12)形成为从所述封装的所述底部表面向下突出的凸起，并且用绝缘树脂(14)填充各凸起，而用金属(16)覆盖各凸起的表面。包括导体过孔(26a)的布线(24)、(26)电连接金属层(16)的金属和半导体元件安装端子(18)。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832152A
申请号 ：
CN200510134569.8
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中村顺一
申请人 ：
新光电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本长野县
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
杨晓光
优先权 ：
CN200510134569.8
主分类号 ：
H01L23/28
IPC分类号 ：
H01L23/28 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
法律状态
2010-05-26 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-01-17 ：
发明专利申请公布说明书更正
更正卷 : 22
号 : 37
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.07.25 JP 214904/2005
号 : 37
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.07.25 JP 214904/2005
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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