半导体封装件及半导体封装件的制造方法
授权
摘要
本发明提供用于获得在将半导体装置配置于基材时的高对准精度的半导体封装件的制造方法。半导体封装件具有：基材，设置有凹部；半导体装置，配置于基材的设置有凹部的面一侧；以及树脂绝缘层，覆盖半导体装置。半导体封装件还可以具有在基材与半导体装置之间的粘接层。粘接层具有用于露出凹部的开口部，树脂绝缘层可以与开口部的侧壁相接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装件及半导体封装件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107424980A
申请号 ：
CN201710227962.4
公开（公告）日 ：
2017-12-01
申请日 ：
2017-04-10
授权号 ：
CN107424980B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
竹原靖之北野一彦
申请人 ：
株式会社吉帝伟士
申请人地址 ：
日本大分县
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭放
优先权 ：
CN201710227962.4
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L23/31 H01L21/56
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-09-22 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 23/544
变更事项 : 申请人
变更前 : 株式会社吉帝伟士
变更后 : 安靠科技日本公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本大分县
变更后 : 日本大分县
变更事项 : 申请人
变更前 : 株式会社吉帝伟士
变更后 : 安靠科技日本公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本大分县
变更后 : 日本大分县
2019-03-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20170410
申请日 : 20170410
2017-12-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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