半导体封装件及其制造方法
公开
摘要
提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层、位于所述第一绝缘层中的接地图案以及第一导电图案；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片布设在所述第一基板的上表面上；球阵列结构，所述球阵列结构沿着所述第一半导体芯片的周边布设在所述第一基板的所述上表面上，并且电连接到所述接地图案；和屏蔽结构，所述屏蔽结构布设在所述第一半导体芯片的所述上表面上，并且与所述球阵列结构的所述上表面接触。所述球阵列结构具有闭环形状，并且包括焊料球部分和连接相邻的所述焊料球部分的连接部分。所述焊料球部分的最大宽度大于所述连接部分在与所述连接部分的延伸方向垂直的方向上的宽度。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551420A
申请号 ：
CN202111307675.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金东暤金知晃朴桓必沈钟辅
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111307675.7
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/552 H01L23/48 H01L23/31 H01L21/56 H01L23/488 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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