半导体封装件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供在半导体器件的芯片两面上形成的电极与布线之间构筑热可靠性高的接合的接合方法。本发明的半导体封装件的制造方法包括以下步骤：以夹持接合膜的方式将半导体芯片接合于第一基板；在上述半导体芯片上形成第一绝缘膜；在上述第一绝缘膜中形成第一通孔；以通过上述第一通孔与上述半导体芯片电连接的方式在上述第一绝缘膜上形成第一布线；在上述接合膜中形成第二通孔；以及以通过上述第二通孔与上述半导体芯片电连接的方式在上述半导体芯片之下形成第二布线。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551373A
申请号 ：
CN202210064930.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2016-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林直毅
申请人 ：
安靠科技日本公司
申请人地址 ：
日本大分县臼杵市
代理机构 ：
北京寰华知识产权代理有限公司
代理人 ：
何尤玉
优先权 ：
CN202210064930.8
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/29 H01L23/498 H01L21/48 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20161122
申请日 : 20161122
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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