半导体封装的制造
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种半导体封装的制造方法，在该方法中，按需喷射可沉积材料的按需喷射沉积被用来准备半导体封装或多芯片模块的一个元件或多个元件。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装的制造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101238562A
申请号 ：
CN200680007094.9
公开（公告）日 ：
2008-08-06
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·斯坦丁M·帕维尔R·J·克拉克A·索勒K·麦卡特尼
申请人 ：
国际整流器公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
周建秋
优先权 ：
CN200680007094.9
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/20 H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2018-10-16 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/50
变更事项 : 专利权人
变更前 : 国际整流器公司
变更后 : 英飞凌科技美洲公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚
变更后 : 美国加利福尼亚
变更事项 : 专利权人
变更前 : 国际整流器公司
变更后 : 英飞凌科技美洲公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚
变更后 : 美国加利福尼亚
2010-09-29 ：
授权
2008-10-01 ：
实质审查的生效
2008-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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