功率半导体构件以及用于制造功率半导体构件的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及功率半导体构件（1），具有：至少一个布置在壳体（4）之内的功率半导体构造元件（2），其中，具有面积a的冷却体（6）暴露在所述壳体（4）的第一表面（5）上；具有第一主表面（12）和第二主表面（14）的布线基板（10），其中，在所述第二主表面（14）上布置具有经提升的热传导能力的散热区（16），其中，所述散热区（16）在所述第二主表面（14）上具有面积A；其中适用a
基本信息
专利标题 ：
功率半导体构件以及用于制造功率半导体构件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114450784A
申请号 ：
CN202080070892.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·奎斯特-马特D·巴冈D·沃尔夫
申请人 ：
纬湃科技有限责任公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
方莉
优先权 ：
CN202080070892.6
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/495 H01L21/50 H05K1/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20201006
申请日 : 20201006
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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