功率半导体元件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种功率半导体元件及其制造方法，该功率半导体元件包括：第一电性外延层、第二电性第一掺杂区、第一电性第二掺杂区、元件电极、第一终端电极和第二终端电极，外延层包括主动区和终端区。第一掺杂区位于主动区中；第二掺杂区位于第一掺杂区中。接触金属层位于外延层上，与第二掺杂区电性接触。元件电极位主动区中的元件沟槽中，并与外延层和接触金属层电性隔离。第一终端电极位于终端区中的第一终端沟槽中，并与外延层电性隔离。第二终端电极位于第一终端沟槽的底部，并与第一终端电极和外延层电性隔离。第一终端电极和第二终端电极均可选择浮接。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447114A
申请号 ：
CN202011190506.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张立鸣陈美玲李序恒
申请人 ：
创亿半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩旭
优先权 ：
CN202011190506.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/40 H01L29/423 H01L29/06 H01L29/872
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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