功率半导体元件
实质审查的生效
摘要
功率半导体元件包含第一电极、基底、第一磊晶层、第二磊晶层、栅极电极以及第二电极。基底位在第一电极上并具有主动区以及终端区。第一磊晶层具有第一导电类型并包含第一与第二掺杂区。第一掺杂区具有第一导电类型且位在终端区以及主动区中。第二掺杂区具有第二导电类型且位在终端区中。栅极电极与第二电极位于第二磊晶层上且位在主动区中。设置第二掺杂区于终端区中可使第一与第二磊晶层以及终端区的边缘的电场下降，提升可靠度。设置第一掺杂区于主动区以及终端区中，使得第一掺杂区所在区域的电阻下降，并使功率半导体元件整体的导通电阻下降。借由这样的设计，可缩减功率半导体元件的终端区的面积及整体体积。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464668A
申请号 ：
CN202210120715.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈中怡
申请人 ：
鸿海精密工业股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市土城区中山路66号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
康艳青
优先权 ：
CN202210120715.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220209
申请日 : 20220209
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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