高功率半导体元件
授权
摘要
本发明公开一种高功率半导体元件，通过在一通道层上，形成两彼此并联的二极管结构与一萧特基接触，可同时降低导通电压及电阻，提升击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
高功率半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107680999A
申请号 ：
CN201710609477.3
公开（公告）日 ：
2018-02-09
申请日 ：
2017-07-25
授权号 ：
CN107680999B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
陈明钦林奕志杜尚儒
申请人 ：
晶元光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201710609477.3
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20170725
申请日 : 20170725
2018-02-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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