高功率元件总成

实质审查的生效

摘要

本发明是一种高功率元件总成，包含有一基板、一成核层、以及一高功率元件，该基板的材质为单晶碳化硅、单晶硅与单晶蓝宝石以外的其他材质，例如金(Au)、金合金、铜(Cu)、铜合金、钨铜(CuW)、钨铜合金、铜钼铜(CuMoCu)、铜钼铜合金、多晶或单晶钻石(polycrystalline or single crystalline diamond)、氮化铝陶瓷(AlN ceramic)、碳化硅陶瓷(SiC ceramic)或氧化铍陶瓷(BeO ceramic)，该成核层是为单晶氮化铝(AlN)、单晶氮化铝镓(AlGaN)或单晶氮化镓(GaN)材质且覆盖于该基板的表面；该高功率元件是覆设于该成核层的表面。借此，本发明可将高功率元件搭配非传统材质基板，以降低成本并扩增应用领域，且可达到商品化的质量要求。

基本信息

专利标题：

高功率元件总成

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114551363A

申请号：

CN202210066910.4

公开（公告）日：

2022-05-27

申请日：

2022-01-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

何焱腾陈乃榕

申请人：

瑞砻科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾桃园市龙潭区渴望路185号之2

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

优先权：

CN202210066910.4

主分类号：

H01L23/14

IPC分类号：

H01L23/14 H01L23/373 H01L29/778

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/12

安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底

H01L23/14

按其材料或它的电性能区分的

法律状态

2022-06-14 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/14
申请日 : 20220120

2022-05-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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