复合型功率元件
授权
摘要
本实用新型公开一种复合型功率元件，其包含基材结构、绝缘层、介电层、金氧半场效晶体管、及齐纳二极管。金氧半场效晶体管形成于基材结构的晶体管形成区域中。齐纳二极管形成于基材结构的电路元件形成区域中、且包含形成于绝缘层上且被介电层覆盖的齐纳二极管掺杂结构。齐纳二极管掺杂结构包含彼此相接的P型掺杂区及N型掺杂区。齐纳二极管另包含齐纳二极管金属结构，其形成于介电层上、且部分地贯穿介电层，以电性连接齐纳二极管掺杂结构的P型掺杂区及N型掺杂区。齐纳二极管经配置在复合型功率元件通电时接受逆向偏压。借此，复合型功率元件的制程复杂度能被简化，并且终端产品的体积也能被减少。
基本信息
专利标题 ：
复合型功率元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020867365.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-21
授权号 ：
CN212810303U
授权日 ：
2021-03-26
发明人 ：
徐信佑王振煌洪世杰
申请人 ：
全宇昕科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张羽
优先权 ：
CN202020867365.5
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L21/8249
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2021-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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