功率半导体元件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种功率半导体元件及其制造方法，该功率半导体元件包括：具有第一电性的外延层、第一阱区、第二阱区、浮置掺杂区、第一掺杂区、第二掺杂区和栅极结构。第一阱区和第二阱区具有第二电性，分别由外延层的表面延伸进入该外延层，且第一阱区和第二阱区彼此分离。浮置掺杂区具有第二电性，位于外延层中，第一阱区和第二阱区之间，且与第一阱区和第二阱区分离。第一掺杂区和第二掺杂区具有第一电性，分别由外延层的表面延伸进入第一阱和第二阱区之中。栅极结构位于外延层上，邻接第一掺杂区和第二掺杂区，且与浮置掺杂区至少部分重叠。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512544A
申请号 ：
CN202011278464.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李序恒陈美玲张立鸣
申请人 ：
创亿半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202011278464.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201116
申请日 : 20201116
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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