半导体功率元件
授权
摘要

一种半导体功率元件,包括一n型漂移层、复数个第一p型掺杂区域、复数个n型掺杂区域、复数个第二p型掺杂区域、一栅极介电层、一栅电极、一层间介电层以及复数个源极接触,该第一p型掺杂区域包括一第一p型掺杂部以及复数个自该第一p型掺杂部向外延伸的第一p型掺杂支臂,且该n型掺杂区域包括一n型掺杂部以及复数个自该n型掺杂部向外延伸的n型掺杂支臂。

基本信息
专利标题 :
半导体功率元件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109698229A
申请号 :
CN201710999914.7
公开(公告)日 :
2019-04-30
申请日 :
2017-10-24
授权号 :
CN109698229B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
颜诚廷洪建中李传英
申请人 :
瀚薪科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市关新路27号10楼之2
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
梁丽超
优先权 :
CN201710999914.7
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06  
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法律状态
2022-05-10 :
授权
2020-07-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20200616
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 瀚薪科技股份有限公司
变更后权利人 : 上海瀚薪科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 新竹市关新路27号10楼之2
变更后权利人 : 上海市青浦区沪青平公路2855弄1-72号B座12层B区1225室
2019-05-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20171024
2019-04-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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