可控功率半导体元件
视为撤回的专利申请
摘要
在一具有顺次为p型发射极层(9)，n型基极层(8)、p型基极层(7)和n型发射极层(5)的pnpn层结构的可控功率半导体元件中，在截止期间上升的关键的增强电场由于中间层(11)的缘故而减小，中间层(11)n型掺杂浓度比n型基极层(8)的掺杂浓度高，并且它是插在n型基极层(8)与p型基极层(7)之间。
基本信息
专利标题 ：
可控功率半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1041481A
申请号 ：
CN89107499.6
公开（公告）日 ：
1990-04-18
申请日 ：
1989-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
弗里德赫尔姆·包尔霍斯特·格伦宁
申请人 ：
亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN89107499.6
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/08 H01L29/36
法律状态
1992-05-27 ：
视为撤回的专利申请
1990-04-18 ：
公开
1990-02-28 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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